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参数目录36126
> NSS1C200MZ4T3G TRANSISTOR PNP 2A 100V SOT-223
型号:
NSS1C200MZ4T3G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
ON Semiconductor
描述:
TRANSISTOR PNP 2A 100V SOT-223
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
NSS1C200MZ4T3G PDF
产品变化通告
Wire Bond Change 01/Dec/2010
产品目录绘图
Transistor SOT-223 Pkg
标准包装
4,000
系列
-
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
2A
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
100V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
220mV @ 200mA,2A
电流 - 集电极截止(最大)
-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
120 @ 500mA,2V
功率 - 最大
800mW
频率 - 转换
120MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装
SOT-223
包装
带卷 (TR)
查看NSS1C200MZ4T3G代理商
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